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從上世紀90年代初開始,世界范圍內掀起了研究高亮度LED的熱潮,以它為基礎的固體照明正在迅猛發(fā)展。因為高亮度LED采用雙異質結構,要求材料具有良好的晶格匹配,這個要求對用于異質結LED的材料體系提出了嚴格的限制。 Ⅲ-Ⅴ族氮化物半導體材料,擁有優(yōu)良的光電性質,化學性質非常穩(wěn)定,可在?高溫、酸堿、輻射環(huán)境下使?用,并且禁帶寬度大,因此在大功率的電子器件方面頗具吸引力,已引起了國內外眾多研究者的興趣。人們感興趣的Ⅲ-Ⅴ族氮化物是AIN、GaN、InN及其合金,通過控制它們各自的組份,其禁帶寬度可從InN的0.7eV到GaN的3.4eV直到AlN的6.2eV連續(xù)變化,覆蓋了整個可見光區(qū),并擴展到紫外范圍,適合制備高亮度LED。
氧化亞銅為一價銅的氧化物，是鮮紅色粉末狀固體，幾乎不溶于水，在酸性溶液中化為二價銅。它是一種重要的P型半導體材料，禁帶寬度僅為2.1eV，光電轉換效率可達到18%。1998年氧化亞銅被發(fā)現可作為催化劑在陽光下將水分解成氫氣和氧氣，證明是一種極具前景的光催化氧化材料?，F今，隨著納米材料的發(fā)展，不僅已經制備各種尺寸及形貌的氧化亞銅微納米結構，還提出了多種形貌控制理論，如量子點、納米線、納米片、納米球、多面體、空心結構等。納米級的Cu2O還具有獨特的光學和磁學性質，在光電轉換、工業(yè)催化和氣體傳感器等方面也得到了廣泛的應用。
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